Transistor Si NPN BC547 Basis links, Gehäuse PS2-2
- IC max.: 100 mA
- UCE max.: 45 V
Transistor Si NPN BC547 Basis rechts, Gehäuse PS2-2
- IC max.: 100 mA
- UCE max.: 45 V
Transistor Si PNP BC558 Basis links, Gehäuse PS2-2
- IC max.: -100 mA
- UCE max.: -30 V
Transistor Si PNP BC558 Basis rechts, Gehäuse PS2-2
- IC max.: -100 mA
- UCE max.: -30 V
Transistor Si NPN BD237 Basis links, Gehäuse PS2-2
- IC max.: 2 A
- UCE max.: 80 V
Transistor Si NPN BD237 Basis rechts, Gehäuse PS2-2
- IC max.: 2 A
- UCE max.: 80 V
Transistor Si PNP BD238 Basis links, Gehäuse PS2-2
- IC max.: -2 A
- UCE max.: -80 V
Transistor Si PNP BD238 Basis rechts, Gehäuse PS2-2
- IC max.: -2 A
- UCE max.: -80 V
MOS-FET P-Sperrend, Gehäuse PS2-2
Typ: BS250
- ID max.: 250 mA
- UDS max.: 45 V
MOS-FET N-Sperrend, Gehäuse PS2-2
Typ: BS170
- ID max.: 500 mA
- UDS max.: 60 V
Feldeffekt Transistor J112, Gehäuse PS2-2
- UDG max.: 35 V
- Vorwärts Gate-Strom IGF: 50 mA
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Nicht lineare Widerstände
Elektromechanische Komponenten
