Transistor Si NPN BC547 Basis links, Gehäuse PS4-2

• I_C max.: 100 mA
• U_CE max.: 45 V

Transistor Si NPN BC547 Basis rechts, Gehäuse PS4-2

• I_C max.: 100 mA
• U_CE max.: 45 V

Transistor Si PNP BC558 Basis links, Gehäuse PS4-2

• I_C max.: -100 mA
• U_CE max.: -30 V

Transistor Si PNP BC558 Basis rechts, Gehäuse PS4-2

• I_C max.: -100 mA
• U_CE max.: -30 V

Transistor Si NPN BD237 Basis links, Gehäuse PS4-2

• I_C max.: 2 A
• U_CE max.: 80 V

Transistor Si NPN BD237 Basis rechts, Gehäuse PS4-2

• I_C max.: 2 A
• U_CE max.: 80 V

Transistor Si PNP BD238 Basis links, Gehäuse PS4-2

• I_C max.: -2 A
• U_CE max.: -80 V

Transistor Si PNP BD238 Basis rechts, Gehäuse PS4-2

• I_C max.: -2 A
• U_CE max.: -80 V

Darlington-Transistor TIP 162 Basis links, Gehäuse PS4-2

NPN-Darlington-Transistor

• I_C max.: 10 A (kurzzeitig)
• U_CE max.: 380 V
• Betrieb nur bei Schutzkleinspannung (Berührungsschutz)

MOS-FET P-Sperrend, Gehäuse PS4-2

Typ: BS250

• I_D max.: 250 mA
• U_DS max.: 45 V

MOS-FET N-Sperrend, Gehäuse PS4-2

Typ: BS170

• I_D max.: 500 mA
• U_DS max.: 60 V

Feldeffekttransistor J112, Gehäuse PS4-2

• U_DG max.: 35 V
• Vorwärts Gate-Strom I_GF: 50 mA